原子層沉積系統(tǒng)PICOSUN? R-200 ALD標(biāo)準(zhǔn)版

技術(shù)特點(diǎn)

圖標(biāo)-1-3

典型的基板尺寸和類型

50–200 mm 單晶片

156 mm x 156 mm 太陽能硅晶片

3D 對(duì)象

粉末和顆粒

小批量

多孔、通孔和高縱橫比（高達(dá) 1:2500）

圖標(biāo)產(chǎn)品溫度計(jì)

加工溫度

50 – 500°C

典型工藝

Al 2 O 3、TiO 2、SiO 2、Ta 2 O 5、HfO 2、ZnO、ZrO 2、TiN、AlN、Pt或Ir等金屬

圖標(biāo)產(chǎn)品起重機(jī)鉤

基板裝載

使用氣動(dòng)升降機(jī)手動(dòng)裝載

帶磁性機(jī)械臂的負(fù)載鎖

前體

液體、固體、氣體、臭氧多達(dá) 6 個(gè)源，帶 4 個(gè)獨(dú)立入口

選項(xiàng)

Picoflow? 擴(kuò)散增強(qiáng)劑、RGA、N2 發(fā)生器、氣體洗滌器、定制設(shè)計(jì)、惰性裝載手套箱兼容性

PICOSUN? R-200 標(biāo)準(zhǔn) ALD 系統(tǒng)是熱 ALD 研究工具的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。它已成為創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的公司和研究機(jī)構(gòu)的首選工具。

靈活的設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn) 很高質(zhì)量的 ALD 薄膜沉積以及系統(tǒng)的終極靈活性，以適應(yīng)未來的需求和應(yīng)用。獲得 的熱壁設(shè)計(jì)具有完全獨(dú)立的入口和儀器，可實(shí)現(xiàn)無顆粒處理，適用于晶圓、3D 物體和所有納米級(jí)特征上的各種材料。得益于我們專有的 Picoflow? 技術(shù)，即使在 很具挑戰(zhàn)性的通孔、超高縱橫比和納米顆粒樣品上也能實(shí)現(xiàn)出色的均勻性。PICOSUN? R-200 標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)配備功能強(qiáng)大且易于更換的液態(tài)、氣態(tài)和固態(tài)化學(xué)品前體源。與手套箱、粉末室和各種原位分析系統(tǒng)集成，可實(shí)現(xiàn)高效靈活的研究，并取得良好的結(jié)果，